Ich beginne einen neuen Fred, damit der alte (viewtopic.php?f=7&t=1860&start=20) eher beim Thema bleibt.STW hat geschrieben:Primär ist wirklich nur das Material interessant. Es hat einen guten Grund, warum in Detektorempfängern nur Germaniumdioden zum Einsatz gekommen sind, die zapfen sich nur wenige uV oder mV ab, Siliziumdioden sind mit ca. 0.6V dabei, können also für Spannungsreduktion in Durchlassrichtung eingesetzt werden, usw..Idealist hat geschrieben:Ist jetzt leicht Off-Topic, aber ich lerne immer gerne dazu:
Verstehe ich Euch richtig, dass Ihr sagt, die Schwellenspannung sei eine Funktion in Abhängigkeit vom die Diode durchfließenden Stroms? Ist nicht die Schwellspannung nur abhängig vom Material der Diode aber für ein bestimmtes Material konstant?
Dann gibt es noch Dotierungen, und noch ein paar Einflüsse, und schon ist man dabei, dass die 0.6V nur eine Richtgröße sind, abhängig von Stromfluß, Temperatur, ..., aber üblicherweise (je nachdem) gibt es in ein paar Konstellationen (je nachdem
) ein paar Abweichungen.
Man könnte ja sonst der Meinung sein, man würde nur 5 Typen von Dioden in unterschiedlicher Stromstärkefestigkeit benötigen - aber die Typenlisten sind unüberschaubar riesig, weil es ja wieder zig Sonderwünsche der Ingenierszunft gibt.
Danke, STW, für Deine sachliche Antwort!
Mein Ausgangspunkt der Diskussion/Fragen war bzw. ist die Definition der Schwellenspannung als Schnittpunkt Regressionsgeraden (des steilen Teils) mit der X-Achse der Diodenkennlinie.
Sind wir da noch beieinander?
Demnach kann die Schwellenspannung keine Funktion des Diodenstromes sein, oder!? Völlig klar ist natürlich, dass diese Definition eine Idealisierung der Diodenkennlinie darstellt.